ASML首席執(zhí)行官克里斯托夫?富凱（Christophe Fouquet，中文名傅恪禮）在公司總部接受彭博社專訪時透露，High NA EUV光刻機預計將在2027至2028年間正式應用于先進制程的大規(guī)模量產(chǎn)。這一消息引發(fā)了半導體行業(yè)的廣泛關注，尤其是對于那些正在推進新一代芯片制造技術的企業(yè)而言。
目前，英特爾代工在導入新一代圖案化技術方面表現(xiàn)最為積極。其支持High NA EUV的Intel 14A節(jié)點計劃于2027年正式推出。這一節(jié)點被視為英特爾在先進制程領域的重要突破，有望幫助其在全球芯片制造競爭中占據(jù)更有利的位置。
富凱表示，High NA EUV光刻機目前正由英特爾等客戶進行測試。從測試結果來看，新設備在成像和分辨率方面表現(xiàn)優(yōu)異，達到了預期目標。他進一步指出，ASML在2026年的重要任務之一是與客戶緊密合作，將設備的停機時間降至最低，以確保大規(guī)模量產(chǎn)的順利進行。
富凱還透露，ASML對未來10至15年的技術發(fā)展已有初步規(guī)劃。公司已啟動下一代Hyper NA EUV的研究工作，旨在為本世紀30年代的設備投運奠定基礎。這一舉措表明，ASML在光刻技術領域的創(chuàng)新步伐并未停歇，而是持續(xù)向更高精度、更高效率的方向邁進。
