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近期內(nèi)存價格瘋漲原因:技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足

  科客點評:筆者最近也想攢機,但人民幣貶值加上內(nèi)存漲價看來得憋一年了。

近期內(nèi)存價格瘋漲原因:技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足

  從去年年中開始,以固態(tài)硬盤為代表的,包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品,開始緩慢漲價。一開始的漲價幅度并不是特別大,許多人并沒有在意,但隨著時間的推移,到了2016年第三第四季度,漲價的幅度逐漸增大,而且沒有要停下的意思。

近期內(nèi)存價格瘋漲原因:技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足

  來自日本媒體的最新調(diào)查顯示,最緊俏的DDR4-2400內(nèi)存價格已經(jīng)飆漲至去年同期的兩倍。截至3月25日,日本秋葉原地區(qū)DDR4-2400 16GB*2套裝內(nèi)存的最低價格為25704日元(約合1600元人民幣),而基本上多數(shù)店家的報價都在28000-29000日元之間,相當于去年夏天時的兩倍。

  而DDR4-2400 4GB*2套裝內(nèi)存的價格也在過去的一個月中創(chuàng)造了最高漲幅,平均價格升到了7234日元(約合450元人民幣),比前一統(tǒng)計周期增加了950日元之多,漲幅達到了15%。

  標配內(nèi)存越來越大,生產(chǎn)技術(shù)卻無法快速更新,產(chǎn)能的落后導致了近年來的內(nèi)存價格持續(xù)上漲。全球范圍內(nèi)能獨立生存的封裝的廠商屈指可數(shù),而這些廠商的閃存原料則需要供應(yīng)給除了傳統(tǒng)儲存產(chǎn)品之外的包括手機平板電腦、超極本、企業(yè)級服務(wù)器內(nèi)存等新興市場。

近期內(nèi)存價格瘋漲原因:技術(shù)更新失敗加產(chǎn)能不足

  根據(jù)公開消息,各大廠商已經(jīng)在3D制程上實現(xiàn)了突破,幾乎所有廠商都將在2017年開始量產(chǎn)3D NAND技術(shù)產(chǎn)品,以取代原來內(nèi)存容量少數(shù)個數(shù)量級的2D NAND產(chǎn)品。然而從方案確定到推出市場還需一段時間,根據(jù)供應(yīng)鏈一般的流程及專家預(yù)計,內(nèi)存價格回落最快得到2017年底,甚至可能延期到2018年第一季度。

  所以對內(nèi)存需求還不高的各位攢機群眾,就先忍著等降價吧!

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