長(zhǎng)鑫科技近日披露的招股計(jì)劃引發(fā)市場(chǎng)高度關(guān)注。根據(jù)公告，公司擬通過(guò)發(fā)行股份募集295億元資金，疊加自有資金后總投入規(guī)模達(dá)345億元，資金將主要用于存儲(chǔ)晶圓制造技術(shù)升級(jí)、DRAM存儲(chǔ)器研發(fā)及前瞻性技術(shù)研究三大方向。作為國(guó)內(nèi)DRAM領(lǐng)域龍頭企業(yè)，長(zhǎng)鑫科技已形成覆蓋DDR4至LPDDR5/5X的全系列產(chǎn)品矩陣，據(jù)第三方機(jī)構(gòu)Omida統(tǒng)計(jì)，其出貨量位居中國(guó)首位、全球第四。

存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷歷史性漲價(jià)周期。受AI算力需求激增影響，DRAM與NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)格自9月以來(lái)累計(jì)漲幅均突破300%，第四季度合約價(jià)同比上漲75%，其中DDR5顆粒單月漲幅更達(dá)90%以上。行業(yè)分析師指出，AI訓(xùn)練與推理需求的雙重爆發(fā)導(dǎo)致存儲(chǔ)產(chǎn)能持續(xù)緊張，這種供需格局或?qū)⒀永m(xù)至2026年。長(zhǎng)鑫科技此時(shí)啟動(dòng)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，不僅有助于鞏固其市場(chǎng)地位，更將帶動(dòng)上游設(shè)備環(huán)節(jié)迎來(lái)確定性增長(zhǎng)。

半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域已率先感受到行業(yè)熱度。聚焦上游設(shè)備的半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）近期獲得資金持續(xù)流入，近20日凈流入規(guī)模近22億元，年初以來(lái)份額增長(zhǎng)超200%，當(dāng)前88.23億元的規(guī)模在同類6只產(chǎn)品中位居榜首。該ETF跟蹤的中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，能夠較好反映設(shè)備材料環(huán)節(jié)的基本面變化，成為投資者布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的重要工具。

光刻機(jī)進(jìn)口數(shù)據(jù)印證了行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)的迫切性。海關(guān)統(tǒng)計(jì)顯示，9-11月光刻機(jī)進(jìn)口金額分別達(dá)62億元、43億元和35億元，三個(gè)月合計(jì)進(jìn)口規(guī)模接近2024年全年水平。其中上海地區(qū)進(jìn)口占比顯著，11月單月進(jìn)口額達(dá)35億元，顯示長(zhǎng)三角地區(qū)正成為半導(dǎo)體設(shè)備需求的核心區(qū)域。這種設(shè)備采購(gòu)熱潮與存儲(chǔ)廠商的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃形成共振，為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)帶來(lái)雙重增長(zhǎng)動(dòng)力。

技術(shù)升級(jí)趨勢(shì)進(jìn)一步強(qiáng)化設(shè)備環(huán)節(jié)的投資價(jià)值。存儲(chǔ)芯片向3D堆疊方向發(fā)展，使得刻蝕、薄膜沉積及量測(cè)等設(shè)備的價(jià)值量占比持續(xù)提升。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)線對(duì)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率的要求不斷提高，具備技術(shù)優(yōu)勢(shì)的本土設(shè)備廠商有望獲得更多訂單。目前A股市場(chǎng)尚無(wú)純正的存儲(chǔ)原廠標(biāo)的，半導(dǎo)體設(shè)備ETF成為分享行業(yè)成長(zhǎng)紅利的重要渠道。

市場(chǎng)人士建議，在春季躁動(dòng)行情下，半導(dǎo)體設(shè)備板塊具備多重催化因素。元旦后企業(yè)將陸續(xù)發(fā)布新年度訂單指引，疊加存儲(chǔ)漲價(jià)、AI需求增長(zhǎng)等利好，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）的配置價(jià)值凸顯。不過(guò)投資者也需注意，基金短期表現(xiàn)受多重因素影響，需充分了解產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)收益特征，選擇與自身風(fēng)險(xiǎn)承受能力匹配的產(chǎn)品進(jìn)行投資。