摩根大通最新研究報告指出，全球頭部存儲芯片制造商的總市值已逼近萬億美元大關，而基于行業(yè)估值模型推算，到2027年這一數(shù)字有望突破1.5萬億美元，意味著頭部企業(yè)仍存在顯著增長空間。該機構強調，當前存儲行業(yè)正經(jīng)歷前所未有的上升周期，其持續(xù)時間與強度均將創(chuàng)歷史紀錄。
針對市場普遍擔憂的2027年DRAM產(chǎn)能過剩問題，摩根大通通過構建產(chǎn)能-位元分析模型提出反駁。數(shù)據(jù)顯示，盡管2027年供需缺口可能從2026年的5%收窄至3%，但整體市場仍將維持短缺狀態(tài)。特別值得注意的是，HBM（高帶寬內存）對DRAM產(chǎn)能的擠占效應顯著，其占比將從2025年的19%躍升至2027年的28%。受限于潔凈室空間和工藝復雜度提升，即便三星P4、海力士M15X等新產(chǎn)線投產(chǎn)，DRAM位元出貨量年增長率仍將被壓制在20%以下。
市場定價機制呈現(xiàn)明顯分化特征。企業(yè)級（B2B）市場受AI推理需求驅動，價格保持強勁態(tài)勢；消費級（B2C）市場則因終端客戶價格敏感度提升，面臨周期性調整壓力。摩根大通預測，2026年下半年至2027年上半年將出現(xiàn)顯著價格分化：B2B領域在AI推理需求支撐下價格堅挺，而B2C領域可能因需求疲軟出現(xiàn)價格回調。具體數(shù)據(jù)顯示，2026財年DRAM平均售價（ASP）預計上漲53%，NAND ASP上漲30%；2027財年DRAM ASP仍將微漲1%，NAND ASP則可能回落6%。
AI技術發(fā)展正為存儲行業(yè)創(chuàng)造結構性機遇。HBM領域受益于GPU與ASIC的路線競爭，需求持續(xù)旺盛。Google下一代2nm TPU計劃采用HBM4，配合Rubin Pro GPU帶來的4倍容量增長，將進一步加劇供應鏈緊張。摩根大通預計HBM供需缺口將貫穿2027年，短缺幅度達8%-12%，甚至可能延續(xù)至2028年。在企業(yè)級SSD（eSSD）市場，AI服務器對存儲容量的需求是傳統(tǒng)服務器的3倍，而HDD廠商2026年資本開支謹慎，推動eSSD需求激增，預計帶動2026財年NAND價格上漲27%。
盡管主要存儲廠商紛紛宣布擴產(chǎn)計劃，但摩根大通認為實際位元供應增長將受到物理遷移挑戰(zhàn)的制約。設備支出方面，2026/2027年DRAM晶圓廠設備（WFE）投資將分別增長19%和26%，顯著快于整體資本開支增速。值得關注的是，DRAM資本密集度將維持在30%以下，NAND低于20%，均低于過去五年平均水平，顯示供應端保持理性擴張態(tài)勢。這種可控的資本支出強度，有助于維持市場供需平衡，避免過度競爭導致的價格崩塌。
