存儲芯片市場正經(jīng)歷一場前所未有的漲價潮，行業(yè)巨頭SK海力士在最新投資者會議上明確表示，受人工智能（AI）領(lǐng)域客戶強勁需求及供應(yīng)端物理限制的雙重影響，存儲芯片價格將在全年持續(xù)攀升。公司透露，當(dāng)前潔凈室空間不足已成為制約全行業(yè)產(chǎn)能擴張的關(guān)鍵因素，短期內(nèi)無法通過擴產(chǎn)緩解供需矛盾，客戶重復(fù)下單只會進(jìn)一步推高價格。
從庫存動態(tài)來看，服務(wù)器領(lǐng)域庫存已恢復(fù)至健康水平，而PC和移動設(shè)備客戶庫存持續(xù)消耗，SK海力士自身DRAM與NAND庫存僅維持約4周，且預(yù)計全年將進(jìn)一步下降。在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，HBM（高帶寬內(nèi)存）成為焦點，公司2026年產(chǎn)能已全部售罄，甚至難以調(diào)整產(chǎn)線分配，這種供需極度緊張的狀態(tài)為其在定價談判中贏得顯著優(yōu)勢。公司正與主要客戶探討簽訂多年期長期合約，并預(yù)計這種緊張局勢可能為2027年HBM業(yè)務(wù)帶來更優(yōu)條款。
資本開支策略方面，SK海力士保持審慎態(tài)度。盡管今年投資額將超過去年，但核心聚焦HBM和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，NAND業(yè)務(wù)僅恢復(fù)部分321層3D NAND遷移投資，占總資本開支比例維持低雙位數(shù)。這種精準(zhǔn)投資策略與行業(yè)整體趨勢形成呼應(yīng)——市場研究機構(gòu)TrendForce預(yù)測，2026年第一季度DRAM價格將上漲90%-95%，NAND閃存價格漲幅達(dá)55%-60%。
資本市場已對行業(yè)變局作出強烈反應(yīng)。美東時間2月20日，美股存儲概念股集體走高，閃迪漲幅達(dá)4.65%，美光科技漲超2%，SK海力士在亞洲交易時段大漲6.15%創(chuàng)歷史新高，三星電子亦刷新收盤紀(jì)錄。港股市場中，瀾起科技一度漲超8%，兆易創(chuàng)新漲近4%。消息面上，三星電子正就新一代AI存儲芯片定價談判，價格較前代最高上浮30%，盛寶銀行首席投資策略師查魯·查納納指出，這凸顯高端市場定價權(quán)向頭部企業(yè)集中的趨勢。
行業(yè)連鎖反應(yīng)正在顯現(xiàn)。谷歌DeepMind首席執(zhí)行官Demis Hassabis直言，內(nèi)存芯片供應(yīng)鏈全面受限正制約AI部署規(guī)模，英特爾CEO陳立武則警告，內(nèi)存短缺將成為AI發(fā)展瓶頸，且問題可能持續(xù)至2028年。Bernstein半導(dǎo)體分析師Mark Li提醒，內(nèi)存價格"拋物線式"上漲雖將使三星、美光、SK海力士等企業(yè)利潤激增，但電子行業(yè)其他領(lǐng)域?qū)⒊惺芫薮髩毫?。Counterpoint Research分析指出，內(nèi)存成本攀升可能迫使電子企業(yè)放棄低端產(chǎn)品線，部分低價智能手機或?qū)⑼顺鍪袌觥?/p>
