近日，碳化硅領(lǐng)域接連傳來(lái)重大進(jìn)展，國(guó)內(nèi)企業(yè)與全球巨頭在技術(shù)突破與市場(chǎng)布局上展開(kāi)激烈角逐，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新高度。

國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在大尺寸技術(shù)上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵跨越。天成半導(dǎo)體宣布，依托自主研發(fā)設(shè)備成功研制出14英寸碳化硅單晶材料，有效厚度達(dá)30毫米。這一突破不僅填補(bǔ)國(guó)內(nèi)技術(shù)空白，更標(biāo)志著我國(guó)從“12英寸普及”階段邁入“14英寸破冰”新階段。該產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備部件，直接打破日韓歐企業(yè)長(zhǎng)期壟斷格局，為全球產(chǎn)業(yè)格局注入新變量。與此同時(shí)，三安光電、露笑科技、海目星等企業(yè)也紛紛宣布12英寸技術(shù)突破：三安光電已向客戶送樣驗(yàn)證；露笑科技完成從長(zhǎng)晶到襯底全流程開(kāi)發(fā)；海目星旗下子公司實(shí)現(xiàn)6至12英寸全尺寸技術(shù)覆蓋；晶盛機(jī)電的中試線更于2025年9月正式通線。

全球碳化硅龍頭Wolfspeed則將目光投向先進(jìn)封裝領(lǐng)域。該公司推出基于300毫米碳化硅技術(shù)的新一代AI數(shù)據(jù)中心封裝平臺(tái)，通過(guò)將碳化硅材料優(yōu)勢(shì)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制造基礎(chǔ)設(shè)施結(jié)合，為下一代AI和高性能計(jì)算提供可擴(kuò)展解決方案。隨著AI算力需求激增，數(shù)據(jù)中心對(duì)封裝尺寸、功率密度和集成復(fù)雜性的要求已突破傳統(tǒng)材料極限。Wolfspeed正與晶圓廠、封裝測(cè)試供應(yīng)商及系統(tǒng)架構(gòu)師合作，推動(dòng)混合碳化硅-硅封裝架構(gòu)落地。此前有消息稱，英偉達(dá)計(jì)劃在2027年前將新一代Rubin處理器的中介層材料替換為12英寸碳化硅襯底，以解決1000W功耗下的熱管理難題。

作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅憑借10倍于硅的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、3倍禁帶寬度、2倍極限工作溫度等特性，正突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體性能瓶頸，成為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、AI算力等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。集微咨詢報(bào)告顯示，2024年全球碳化硅功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)26億美元，預(yù)計(jì)2029年將飆升至136億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)39.9%。

資本市場(chǎng)方面，A股20余只碳化硅概念股中，14家已發(fā)布2025年業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)，但整體表現(xiàn)低迷，7家公司出現(xiàn)虧損。天岳先進(jìn)在業(yè)績(jī)預(yù)告中指出，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇導(dǎo)致產(chǎn)品均價(jià)下滑，公司通過(guò)階段性市場(chǎng)戰(zhàn)略調(diào)整擴(kuò)大份額，但營(yíng)收規(guī)模仍同比下降。不過(guò)，機(jī)構(gòu)對(duì)部分企業(yè)仍保持樂(lè)觀預(yù)期：揚(yáng)杰科技、晶盛機(jī)電等16只個(gè)股獲機(jī)構(gòu)關(guān)注，立昂微、天岳先進(jìn)等被一致預(yù)測(cè)未來(lái)兩年業(yè)績(jī)?cè)鏊俪?00%。