高性能碳化硅（SiC）模塊制造商無(wú)錫利普思半導(dǎo)體有限公司近日宣布完成億元級(jí)PreB+輪融資，新晉投資方包括揚(yáng)州國(guó)金投資集團(tuán)與揚(yáng)州龍投資本。本輪資金將重點(diǎn)投向揚(yáng)州車規(guī)級(jí)SiC模塊封裝測(cè)試基地建設(shè)，同步推進(jìn)全球市場(chǎng)拓展計(jì)劃。該基地規(guī)劃總投資10億元，首期產(chǎn)線預(yù)計(jì)2026年建成，2027年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)300萬(wàn)只模塊的產(chǎn)能目標(biāo)。

作為第三代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新企業(yè)，利普思自2019年成立以來(lái)持續(xù)深耕SiC模塊研發(fā)。其產(chǎn)品突破傳統(tǒng)IGBT模塊性能局限，在耐壓等級(jí)、能量損耗及開關(guān)頻率等核心指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)顯著提升，特別適用于新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、超級(jí)充電樁、智能電網(wǎng)設(shè)備等高壓場(chǎng)景。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，隨著上游材料成本下降，SiC功率器件市場(chǎng)正以年均超30%的速度擴(kuò)張。

在技術(shù)布局方面，公司構(gòu)建了覆蓋材料、設(shè)計(jì)到制造的全鏈條創(chuàng)新體系。通過(guò)自主研發(fā)高導(dǎo)熱環(huán)氧灌封技術(shù)、聯(lián)合開發(fā)高散熱絕緣基板，以及引入ArcBonding芯片鍵合等先進(jìn)工藝，成功將模塊雜散電感降低40%，功率密度提升25%。目前其1200V-3300V系列產(chǎn)品已通過(guò)多家頭部企業(yè)的嚴(yán)苛測(cè)試，在電網(wǎng)設(shè)備、新能源重卡等領(lǐng)域形成穩(wěn)定供貨。

面向AI算力爆發(fā)帶來(lái)的新機(jī)遇，利普思提前布局?jǐn)?shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)升級(jí)?；赟iC器件的固態(tài)變壓器（SST）方案可提升供電效率15%以上，同時(shí)將設(shè)備體積縮小60%。公司透露，其多款高壓模塊已完成國(guó)內(nèi)外知名客戶的樣品驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2027年前后將在數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)形成規(guī)模化應(yīng)用。

全球化戰(zhàn)略方面，公司通過(guò)"技術(shù)+市場(chǎng)"雙輪驅(qū)動(dòng)模式加速出海。2020年在日本設(shè)立的研發(fā)中心匯聚了多位半導(dǎo)體材料專家，歐洲銷售服務(wù)中心則強(qiáng)化了本地化服務(wù)能力。目前產(chǎn)品已進(jìn)入20余個(gè)國(guó)家市場(chǎng)，海外銷售占比預(yù)計(jì)在2025年突破45%。

即將建設(shè)的揚(yáng)州基地將按照車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)打造智能化產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)從晶圓測(cè)試到模塊封裝的全程自動(dòng)化生產(chǎn)。該基地特別規(guī)劃了獨(dú)立SiC產(chǎn)線，避免與IGBT制造交叉污染，同時(shí)支持嵌入式封裝等前沿技術(shù)開發(fā)。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，年產(chǎn)能將達(dá)現(xiàn)有無(wú)錫工廠的4倍以上，為電網(wǎng)升級(jí)和AI算力基建提供關(guān)鍵器件支撐。

據(jù)創(chuàng)始人丁烜明介紹，揚(yáng)州基地將重點(diǎn)突破三大技術(shù)方向：構(gòu)建符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量體系、開發(fā)新一代低雜散電感封裝結(jié)構(gòu)、建立客戶定制化開發(fā)平臺(tái)。預(yù)計(jì)2027年形成200萬(wàn)只模塊的交付能力，助力公司在全球SiC功率器件市場(chǎng)占據(jù)更重要地位。