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三星電子調(diào)整產(chǎn)能布局:減NAND增DRAM 擬建新廠應(yīng)對(duì)AI需求

   時(shí)間:2025-11-22 00:35 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)作者:趙云飛

據(jù)海外媒體最新披露,三星電子正計(jì)劃對(duì)旗下存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能進(jìn)行重大調(diào)整,以應(yīng)對(duì)人工智能領(lǐng)域激增的市場(chǎng)需求。此次調(diào)整將涉及減少NAND閃存生產(chǎn)規(guī)模,同時(shí)擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能,并新建專用生產(chǎn)線提升高端產(chǎn)品供應(yīng)能力。

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,得益于高帶寬存儲(chǔ)器出貨量增長(zhǎng)及通用DRAM價(jià)格攀升,三星電子在第三季度DRAM銷售額實(shí)現(xiàn)反超,時(shí)隔兩個(gè)季度重奪行業(yè)榜首位置。這一成績(jī)?yōu)楹罄m(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)峁┝藬?shù)據(jù)支撐,公司管理層決定將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)向更具盈利潛力的DRAM領(lǐng)域。

具體調(diào)整方案顯示,三星電子將削減平澤園區(qū)1號(hào)工廠和華城園區(qū)NAND閃存產(chǎn)能,轉(zhuǎn)而提升DRAM產(chǎn)量。這兩個(gè)園區(qū)均采用混合生產(chǎn)線模式,目前同時(shí)生產(chǎn)兩種存儲(chǔ)芯片。此次調(diào)整預(yù)計(jì)將釋放約30%的NAND產(chǎn)能,相關(guān)設(shè)備將逐步改造為DRAM生產(chǎn)線。

更引人注目的是,三星電子計(jì)劃在平澤園區(qū)新建4號(hào)工廠,該設(shè)施將完全用于DRAM生產(chǎn)。新工廠將采用公司最新制程技術(shù),重點(diǎn)生產(chǎn)面向人工智能服務(wù)器的高端產(chǎn)品。據(jù)內(nèi)部人士透露,新生產(chǎn)線有望將單位面積存儲(chǔ)密度提升40%,同時(shí)降低25%的能耗。

行業(yè)分析師指出,全球人工智能基礎(chǔ)設(shè)施投資熱潮推動(dòng)DRAM需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片相比,AI服務(wù)器對(duì)DRAM的容量和速度要求提升數(shù)倍,這為三星電子提供了難得的市場(chǎng)機(jī)遇。通過(guò)產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化,三星電子有望在保持技術(shù)領(lǐng)先的同時(shí),進(jìn)一步鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

 
 
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