近日，碳化硅領(lǐng)域接連傳來(lái)重大進(jìn)展，國(guó)內(nèi)多家企業(yè)在大尺寸碳化硅材料研發(fā)上取得突破，同時(shí)國(guó)際巨頭也在先進(jìn)封裝技術(shù)上推出新平臺(tái)，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。

國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在大尺寸技術(shù)賽道上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵跨越。天成半導(dǎo)體官微發(fā)布消息稱，其依托自主研發(fā)設(shè)備成功研制出14英寸碳化硅單晶材料，有效厚度達(dá)30毫米。這一突破不僅填補(bǔ)國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白，更標(biāo)志著我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)從"12英寸普及"邁向"14英寸破冰"階段。該產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造設(shè)備的碳化硅部件，成功打破日韓歐企業(yè)長(zhǎng)期壟斷格局，為全球碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局帶來(lái)新變量。

大尺寸碳化硅襯底具有顯著優(yōu)勢(shì)，其面積約為6英寸的4倍，芯片產(chǎn)出量是6英寸的3.8至4.4倍。隨著尺寸擴(kuò)大，生產(chǎn)成本顯著降低，良品率大幅提升，更能適配高端器件需求。目前行業(yè)主流廠商仍停留在6英寸階段，8英寸產(chǎn)品正快速上量，而國(guó)內(nèi)企業(yè)已在大尺寸升級(jí)上形成集群突破態(tài)勢(shì)。三安光電12英寸碳化硅襯底已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段；露笑科技完成12英寸單晶樣品制備及全流程工藝開發(fā)；海目星旗下子公司實(shí)現(xiàn)6至12英寸全尺寸長(zhǎng)晶技術(shù)布局；晶盛機(jī)電12英寸襯底加工中試線已正式通線；天岳先進(jìn)則已推出12英寸全系列襯底產(chǎn)品。

國(guó)際市場(chǎng)上，全球碳化硅龍頭企業(yè)Wolfspeed推出基于300毫米碳化硅技術(shù)的新一代AI數(shù)據(jù)中心先進(jìn)封裝平臺(tái)。該平臺(tái)將碳化硅材料優(yōu)勢(shì)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制造基礎(chǔ)設(shè)施相結(jié)合，為下一代人工智能和高性能計(jì)算封裝架構(gòu)提供可擴(kuò)展解決方案。隨著AI工作負(fù)載快速增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心對(duì)封裝尺寸、功率密度和集成復(fù)雜性的要求持續(xù)攀升，傳統(tǒng)材料已接近性能極限。碳化硅材料憑借優(yōu)異特性，成為解決GPU芯片高散熱問(wèn)題的關(guān)鍵方案。此前有報(bào)道稱，英偉達(dá)計(jì)劃在2027年前將新一代Rubin處理器的中介層材料由硅替換為12英寸碳化硅襯底，以突破1000W功耗下的熱管理、結(jié)構(gòu)可靠性和互連密度三大瓶頸。

作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅具有10倍于硅的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、3倍禁帶寬度、2倍極限工作溫度等優(yōu)異特性，正逐步突破傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體性能瓶頸。集微咨詢報(bào)告顯示，2024年全球碳化硅功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)26億美元，預(yù)計(jì)2029年將增至136億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)39.9%。A股市場(chǎng)已有20余只碳化硅概念股，其中14家發(fā)布2025年業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)，但整體表現(xiàn)分化。天岳先進(jìn)等企業(yè)因市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇導(dǎo)致產(chǎn)品均價(jià)下降，營(yíng)收規(guī)模同比下滑；士蘭微、溫州宏豐等少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。從機(jī)構(gòu)評(píng)級(jí)看，揚(yáng)杰科技、晶盛機(jī)電等16只個(gè)股獲得關(guān)注，立昂微、天岳先進(jìn)等被機(jī)構(gòu)一致預(yù)測(cè)未來(lái)兩年業(yè)績(jī)?cè)鏊倬党?00%。