存儲芯片巨頭美光科技近日公布了最新季度財(cái)報，數(shù)據(jù)顯示其業(yè)績實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長。在截至2月末的2026財(cái)年第二財(cái)季，公司營收達(dá)到238.6億美元，較去年同期的80.5億美元增長近兩倍，遠(yuǎn)超分析師預(yù)期的200.7億美元。調(diào)整后每股收益為12.20美元，同樣大幅高于市場預(yù)期的9.31美元。

財(cái)報顯示，公司毛利率從去年同期的36.8%躍升至74.4%，較上一季度的56%也有顯著提升。這一強(qiáng)勁表現(xiàn)主要得益于人工智能熱潮推動的存儲芯片需求激增。美光首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅塔指出，公司業(yè)績提升源于人工智能驅(qū)動的內(nèi)存需求增長、結(jié)構(gòu)性供應(yīng)限制以及公司出色的執(zhí)行能力。

對于下一財(cái)季，美光給出了更為樂觀的指引：預(yù)計(jì)營收約335億美元，同比增長超過200%，遠(yuǎn)超分析師預(yù)期的243億美元；調(diào)整后每股盈利預(yù)計(jì)約19.15美元，也大幅高于市場預(yù)期的12.05美元。盡管業(yè)績表現(xiàn)亮眼，但公司股價在盤后交易中仍下跌超4%，過去一年已累計(jì)上漲超過350%。

市場分析認(rèn)為，美光股價盤后下跌主要源于投資者對過高預(yù)期的擔(dān)憂。加貝利基金投資組合經(jīng)理亨迪·蘇桑托表示，雖然財(cái)報發(fā)布前股價已充分反映市場樂觀情緒，但公司對第三財(cái)季的強(qiáng)勁指引仍超出預(yù)期。他指出，當(dāng)前存儲芯片市場面臨結(jié)構(gòu)性供應(yīng)短缺，特別是DRAM和NAND產(chǎn)品，部分原因是許多廠商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM芯片。

存儲芯片行業(yè)傳統(tǒng)上利潤較低，產(chǎn)品價格相對便宜且合同期限較短。但隨著人工智能發(fā)展，行業(yè)格局正在改變。過去幾個月，多家存儲芯片公司簽訂了更長期合同，以確保未來產(chǎn)能。美光在財(cái)報中強(qiáng)調(diào)，隨著人工智能推進(jìn)，計(jì)算架構(gòu)將更加依賴內(nèi)存，公司將成為這一趨勢的主要受益者和推動者。

為應(yīng)對需求增長，美光正在大幅擴(kuò)張產(chǎn)能。梅赫羅塔透露，英偉達(dá)Vera Rubin顯卡的HBM4量產(chǎn)已在本財(cái)年第一季度啟動，下一代HBM4e產(chǎn)品將于2027年量產(chǎn)。為此，公司計(jì)劃在2027財(cái)年顯著增加資本支出，與建筑相關(guān)的成本將增加超過100億美元。

目前，美光正在美國愛達(dá)荷州和紐約建設(shè)兩個大型制造園區(qū)。愛達(dá)荷州工廠預(yù)計(jì)2027年中期開始生產(chǎn)，紐約園區(qū)規(guī)模達(dá)1000億美元，已于今年1月破土動工，預(yù)計(jì)2028年下半年實(shí)現(xiàn)晶圓生產(chǎn)。這些投資將顯著提升公司在美國的內(nèi)存制造能力。