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美光科技財報亮眼:DRAM供應短缺或延續(xù),HBM成增長新引擎

   時間:2025-12-18 12:54 來源:快訊作者:趙磊

在存儲芯片領域,美光科技近期交出了一份亮眼的成績單。在宣布砍掉旗下消費級品牌英睿達后的首場財報電話會議上,美光公布了2026財年第一季度的財務數據,其DRAM與NAND閃存業(yè)務的營收雙雙創(chuàng)下歷史新高,達到136.4億美元(按當前匯率約合961.82億元人民幣),同比增長近57%,同時利潤率也實現了顯著擴張。

美光將這一業(yè)績增長主要歸因于人工智能數據中心需求的持續(xù)攀升以及產品售價的上漲。美光總裁、董事長兼首席執(zhí)行官桑杰?梅赫羅特拉(Sanjay Mehrotra)在會議中強調,目前這類需求沒有絲毫放緩的跡象,并且預計DRAM供應短缺的狀況將持續(xù)至2026年年底之后。為此,美光正在推進為期數年的長期供貨承諾,以滿足市場需求。

高帶寬內存(HBM)成為美光業(yè)務增長的又一關鍵驅動力。由于HBM所需的晶圓面積是DDR5內存的三倍,美光對其業(yè)務前景充滿信心,預計HBM業(yè)務營收將實現強勁增長。該公司預測,到2028年,HBM的總體可尋址市場規(guī)模(TAM)將突破1000億美元,這一規(guī)模甚至超過2024年整個DRAM市場的規(guī)模。

盡管砍掉了英睿達品牌,美光并未放棄個人電腦和手機市場,仍在持續(xù)為這些領域供應DRAM芯片。美光預計,即便在供應受限的情況下,個人電腦的出貨量仍將保持增長態(tài)勢。不過,公司也表示,即便未來幾年營收和產能實現擴張,仍無法滿足所有細分市場的需求,這無疑讓市場對存儲芯片的供應狀況感到擔憂。

為了緩解供應壓力,美光正在積極推進產能擴張計劃。目前,該公司正在愛達荷州建設兩座晶圓廠,其中第一座預計將于2027年年中投產;同時,紐約晶圓廠的建設計劃也在有序進行,預計于2026年初破土動工,2030年前后正式投產。然而,即便完成這些產能擴張,美光預計也僅能滿足其“核心客戶”一半至三分之二的需求。

梅赫羅特拉指出,客戶對于長期獲取存儲芯片的渠道感到擔憂,因此紛紛簽訂多年期合約以鎖定貨源。這種擔憂也反映在DRAM市場的價格走勢上,供應短缺正持續(xù)推動DDR5內存價格飆升。多數供應商認為,短缺狀況至少會持續(xù)至明年,甚至更久。不過,市場對于價格走勢也存在不同看法,顯卡廠商藍寶石表示,DDR5價格將在未來六至八個月內趨于穩(wěn)定,而金士頓則認為其價格在未來仍會“持續(xù)上漲”。

 
 
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