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SK海力士CES展亮劍:16層HBM4領銜,AI存儲解決方案全面升級

   時間:2026-01-07 16:51 來源:快訊作者:鐘景軒

存儲芯片行業(yè)領軍企業(yè)SK海力士近日宣布,將在即將開幕的2026年國際消費電子展(CES)上,重點展示其面向人工智能時代研發(fā)的下一代存儲解決方案。此次參展陣容涵蓋高帶寬內(nèi)存、低功耗內(nèi)存模塊及NAND閃存三大核心產(chǎn)品線,其中16層堆疊的48GB HBM4和321層2Tb QLC產(chǎn)品尤為引人注目。

作為HBM領域的突破性成果,16層堆疊的48GB HBM4將首次公開亮相。這款產(chǎn)品基于現(xiàn)有12層36GB HBM4的技術基礎升級而來,后者目前保持著11.7 Gbps的行業(yè)最快傳輸速率。雖然具體參數(shù)尚未公布,但業(yè)內(nèi)普遍預期其性能將實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。展會期間,SK海力士還將聯(lián)合客戶展示搭載HBM3E的AI服務器GPU模塊,直觀呈現(xiàn)內(nèi)存解決方案在AI系統(tǒng)中的關鍵作用。

針對AI服務器市場,SK海力士推出了專為低功耗設計的SOCAMM2內(nèi)存模塊。該產(chǎn)品與最新一代LPDDR6形成組合拳,后者在數(shù)據(jù)處理速度和能效方面較前代產(chǎn)品均有顯著提升,特別適用于設備端AI應用場景。這種多元化的產(chǎn)品布局,旨在全面應對AI服務器市場快速增長的需求。

在NAND閃存領域,321層2Tb QLC產(chǎn)品將成為另一大亮點。這款專為超高容量eSSD優(yōu)化的產(chǎn)品,通過業(yè)內(nèi)領先的集成技術,在能效和性能方面較上一代實現(xiàn)大幅提升。其低功耗特性使其在人工智能數(shù)據(jù)中心快速擴張的背景下,展現(xiàn)出獨特的競爭優(yōu)勢。

為完整呈現(xiàn)AI生態(tài)系統(tǒng),SK海力士特別設立"人工智能系統(tǒng)演示區(qū)"。參觀者將通過互動體驗,直觀了解cHBM、基于PIM的AiMX、內(nèi)存內(nèi)計算技術CuD、集成計算能力的CMM-Ax以及數(shù)據(jù)感知CSD等創(chuàng)新解決方案如何協(xié)同工作。這些針對特定AI芯片或系統(tǒng)優(yōu)化的技術,共同構(gòu)建起覆蓋全場景的AI內(nèi)存生態(tài)體系。

 
 
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